由麻省理工学院（MIT）分拆成立的初创企业 Vertical Semiconductor 于周三宣布，已筹集 1100 万美元资金，用于将一款芯片技术商业化。该技术可更高效地为人工智能服务器供电。
Vertical 采用氮化镓（gallium nitride）材料制造芯片。氮化镓是硅材料的替代选择，目前正成为芯片设计商英伟达主导的一项计划的核心 —— 该计划旨在重新设计人工智能数据中心内的辅助芯片，以实现电力传输，并将电力转换为英伟达芯片所需的形式。
当前，部分人工智能数据中心的耗电量已堪比一些城市。然而，在将发电站输送的高压电转换为微芯片所需的低压电时，大量电力会直接转化为热能。这一问题引发了一轮投资热潮，市场对 “降低电力损耗” 的技术关注度大幅提升。
牵头此次融资的风险投资公司 Playground Global 合伙人马特・赫森松（Matt Hersenson）在采访中表示：“这些电力没有被用于（计算任务），而是直接转化成了热能。”
瑞萨电子（Renesas）、英飞凌（Infineon）、功率集成公司（Power Integrations）等老牌芯片制造商，均在与英伟达合作，为人工智能数据中心开发基于氮化镓的供电芯片（氮化镓在芯片行业通常简称 “GaN”）。
而 Vertical 计划于今年推出芯片原型、明年实现芯片量产，该公司采用了一种与众不同的技术路线，有望使其芯片体积更小、发热更低。
在目前多数氮化镓芯片中，作为芯片基础构成单元的晶体管采用水平布局。正如其公司名称 “Vertical”（意为 “垂直的”）所示，该公司将晶体管的各个部件垂直堆叠，从而实现芯片的更高集成度（更紧凑）。
这一技术路线源自麻省理工学院的一项研究，由该校教授、Vertical 联合创始人托马斯・帕拉西奥斯（Tomas Palacios）主导，约书亚・佩罗泽克（Joshua Perozek）进一步开发 —— 后者的博士研究方向正是该技术。
从麻省理工学院斯隆管理学院加入 Vertical 并担任首席执行官的廖 Cynthia（Cynthia Liao）表示，这家初创企业希望凭借一项优势与老牌企业竞争：随着时间推移，相比现有成熟技术，其方案能为数据中心所有者节省更多成本。
廖在采访中称：“我们坚信，我们提供的下一代解决方案极具竞争力 —— 它带来的并非零星几个百分点的提升，而是真正的阶段性变革。”
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